Micron, ABD’de toplam 200 milyar dolarlık yeni bir yarı iletken yatırım planını kamuoyuna açıkladı. Şirket, bu kapsamda dört farklı eyalette yeni üretim ve Ar-Ge tesisleri kurarak yaklaşık 90 bin kişiye doğrudan ve dolaylı istihdam sağlamayı planlıyor.
Micron, ABD’ye 200 milyar dolar yatırım yapacak
Yatırımın 150 milyar doları üretim, 50 milyar doları ise araştırma-geliştirme faaliyetleri için ayrıldı. ABD içinde HBM üretimini de mümkün kılacak bu adımla Micron, uzun vadeli bir üretim ağı kurma sürecini başlattı.
Şirketin ilk üretim tesisi Idaho eyaletinde Boise yakınlarında inşa ediliyor. “Fab ID1” adı verilen tesisin 2027 yılının ikinci yarısında üretime başlaması planlanıyor. Aynı bölgede yer alacak ikinci fabrika, Fab ID2, ilk tesisin yanında kurulacak ve ortak altyapı ile Ar-Ge faaliyetlerinden faydalanacak. Bu ikinci fabrikanın New York’ta planlanan tesisten önce devreye girmesi bekleniyor.
New York eyaletinde kurulması planlanan üretim kampüsü ise şirketin en büyük yatırımlarından biri olarak öne çıkıyor. Dört fazda inşa edilmesi planlanan kampüste, her bir fazda yaklaşık 55.700 metrekare temiz oda alanı bulunacak.
New York tesisinin inşaatı henüz başlamadı. Şirket, çevresel değerlendirme süreçlerinin ardından 2025 yılı sonunda temel atmayı planlıyor. New York yatırımı, Micron’un ABD içinde kalıcı ve büyük ölçekli bir üretim altyapısı kurma stratejisinin merkezinde yer alıyor. Micron, bu tesislerin tamamlanmasıyla birlikte, önümüzdeki on yıl içinde DRAM üretiminin %40’ını ABD sınırları içinde gerçekleştirmeyi planlıyor.
Micron’un yalnızca yeni fabrikalarla değil, mevcut tesislerin geliştirilmesiyle de yatırım planını büyüttüğü görülüyor. Virginia eyaletinde bulunan Manassas tesisi bu kapsamda genişletiliyor. Tesiste hâlihazırda otomotiv, savunma ve uzay sanayilerine yönelik bellek yongaları üretiliyor.
Genişleme sonrasında bu tesiste yüksek bant genişlikli bellek (HBM) paketleme hattı da devreye alınacak. Şirketin açıklamasına göre HBM5 veya HBM6 üretimi, Idaho’daki DRAM üretiminin belirli bir seviyeye ulaşmasından sonra gerçekleşecek.
